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IPG20N06S2L50ATMA1
Dual MOSFET, Dual N Channel, 20 A, 55 V, 0.039 ohm, 10 V, 1.6 V RoHS Compliant: Yes
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
9 655 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,730 $ |
| 10+ | 1,260 $ |
| 25+ | 1,140 $ |
| 50+ | 1,030 $ |
| 100+ | 0,915 $ |
| 250+ | 0,832 $ |
| 500+ | 0,747 $ |
| 1000+ | 0,656 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,73 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPG20N06S2L50ATMA1
Code Commande50Y2048
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source Voltage Vds N Channel55V
Drain Source Voltage Vds55V
Drain Source Voltage Vds P Channel55V
Continuous Drain Current Id N Channel20A
Continuous Drain Current Id P Channel20A
Drain Source On State Resistance N Channel0.039ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.039ohm
Transistor Case StyleTDSON
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel51W
Power Dissipation P Channel51W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
55V
Drain Source Voltage Vds P Channel
55V
Continuous Drain Current Id P Channel
20A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.039ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
51W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
20A
Drain Source Voltage Vds
55V
Continuous Drain Current Id N Channel
20A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.039ohm
Transistor Case Style
TDSON
Power Dissipation N Channel
51W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits