Imprimer la page
IPG20N10S4L22ATMA1
Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 20 A, 0.02 ohm, TDSON, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPG20N10S4L22ATMA1
Code Commande13AC9059
Gamme de produitOptiMOS T2 Series
Fiche technique
17 876 En Stock
Vous en voulez davantage ?
expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,270 $ |
| 10+ | 1,270 $ |
| 25+ | 1,270 $ |
| 50+ | 1,160 $ |
| 100+ | 1,160 $ |
| 250+ | 1,080 $ |
| 500+ | 1,070 $ |
| 1000+ | 1,000 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,27 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPG20N10S4L22ATMA1
Code Commande13AC9059
Gamme de produitOptiMOS T2 Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id N Channel20A
Continuous Drain Current Id P Channel20A
Drain Source On State Resistance N Channel0.02ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.02ohm
Transistor Case StyleTDSON
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel60W
Power Dissipation P Channel60W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS T2 Series
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour IPG20N10S4L22ATMA1
1 produit trouvé
Aperçu du produit
IPG20N10S4L22ATMA1 is an OptiMOS™-T2 power transistor. Applications include automotive battery management system (BMS), diesel direct injection, gasoline multi-port injection, and in-cabin wireless charging.
- AEC Q101 qualified
- 100% avalanche tested
- Feasible for automatic optical inspection (AOI)
- PG-TDSON-8-10 package
- Continuous drain current one channel active is 20A at TC=25°C, VGS=10V
- Gate source voltage is ±16V at Tj=25°C
- Operating and storage temperature range from -55 to +175°C
- Drain-source breakdown voltage is 100V at VGS=0V, ID= 1mA, Tj=25°C
- Drain-source on-state resistance is 24mohm at VGS=4.5V, I D=10A, Tj=25°C
- Gate to source charge is 4.3nC at VDD=80V, ID=20A, VGS=0 to 10V
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id P Channel
20A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.02ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
60W
Product Range
OptiMOS T2 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
20A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.02ohm
Transistor Case Style
TDSON
Power Dissipation N Channel
60W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit