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IPL60R360P6SATMA1
MOSFET, N-CH, 600V, 11.3A, SMD-5
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPL60R360P6SATMA1
Code Commande13AC9063
Gamme de produitCoolMOS P6
Egalement appeléIPL60R360P6S, SP001163030
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 22 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,510 $ |
| 10+ | 1,910 $ |
| 25+ | 1,710 $ |
| 50+ | 1,520 $ |
| 100+ | 1,330 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
12,55 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPL60R360P6SATMA1
Code Commande13AC9063
Gamme de produitCoolMOS P6
Egalement appeléIPL60R360P6S, SP001163030
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id11.3A
Drain Source On State Resistance0.36ohm
On Resistance Rds(on)0.32ohm
Transistor Case StyleSMD
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd89.3W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation89.3W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS P6
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.36ohm
Transistor Case Style
SMD
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
5Pins
Product Range
CoolMOS P6
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
11.3A
On Resistance Rds(on)
0.32ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
89.3W
Power Dissipation
89.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour IPL60R360P6SATMA1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit