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IPN60R600PFD7SATMA1
MOSFET, N-CH, 600V, 6A, SOT-223 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPN60R600PFD7SATMA1
Code Commande78AH7260
Gamme de produitCoolMOS PFD7 SJ
Fiche technique
2 477 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,894 $ |
| 10+ | 0,864 $ |
| 25+ | 0,829 $ |
| 50+ | 0,793 $ |
| 100+ | 0,758 $ |
| 250+ | 0,757 $ |
| 500+ | 0,737 $ |
| 1000+ | 0,683 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,89 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPN60R600PFD7SATMA1
Code Commande78AH7260
Gamme de produitCoolMOS PFD7 SJ
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.517ohm
On Resistance Rds(on)0.517ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd7W
Power Dissipation7W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS PFD7 SJ
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.517ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
7W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS PFD7 SJ
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
On Resistance Rds(on)
0.517ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits