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IPP60R099C7XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 22 A, 0.099 ohm, TO-220, Through Hole
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPP60R099C7XKSA1
Code Commande13AC9081
Gamme de produitCoolMOS C7
Fiche technique
25 En Stock
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expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,620 $ |
| 10+ | 1,620 $ |
| 25+ | 1,620 $ |
| 50+ | 1,620 $ |
| 100+ | 1,620 $ |
| 250+ | 1,620 $ |
| 500+ | 1,620 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
1,62 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPP60R099C7XKSA1
Code Commande13AC9081
Gamme de produitCoolMOS C7
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id22A
On Resistance Rds(on)0.085ohm
Drain Source On State Resistance0.099ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation110W
Power Dissipation Pd110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS C7
Qualification-
MSL-
Aperçu du produit
600V CoolMOS™ C7 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle suitable for use in PFC stages and PWM stages (TTF, LLC) for high power/performance SMPS e.g. computing, server, telecom, UPS and solar.
- Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC)
- Increased MOSFET dv/dt ruggedness to 120V/ns
- Increased efficiency due to best in class FOMRDS(on)*Eoss and RDS(on)*Qg
- Best in class RDS(on)/package
- Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.085ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
110W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS C7
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
22A
Drain Source On State Resistance
0.099ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Power Dissipation Pd
110W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit