Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPP60R125CPXKSA1
Code Commande33P7174
Egalement appeléIPP60R125CP, SP000088488
Fiche technique
1 928 En Stock
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 7,980 $ |
10+ | 7,930 $ |
25+ | 4,240 $ |
50+ | 4,060 $ |
100+ | 3,870 $ |
250+ | 3,550 $ |
500+ | 3,210 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
7,98 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPP60R125CPXKSA1
Code Commande33P7174
Egalement appeléIPP60R125CP, SP000088488
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id25A
On Resistance Rds(on)0.11ohm
Drain Source On State Resistance0.125ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd208W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation208W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Aperçu du produit
The IPP60R125CP is a 650V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate charge. It is designed for hard switching topologies, server and telecom applications.
- Low figure-of-merit(FOM) RON x Qg
- Extreme dV/dt rated
- High peak current capability
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Very fast switching
- High current capability
- Significant reduction of conduction and switching losses
- High power density and efficiency for superior power conversion systems
- Best-in-class performance ratio
Applications
Industrial, Power Management, Communications & Networking, Consumer Electronics, Alternative Energy
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
25A
Drain Source On State Resistance
0.125ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
208W
Power Dissipation
208W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.11ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documents techniques (1)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits