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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPP65R095C7XKSA1
Code Commande13AC9084
Gamme de produitCoolMOS C7
Fiche technique
19 En Stock
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expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 2,940 $ |
10+ | 2,940 $ |
25+ | 2,940 $ |
50+ | 2,940 $ |
100+ | 2,940 $ |
250+ | 2,940 $ |
500+ | 2,940 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
2,94 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPP65R095C7XKSA1
Code Commande13AC9084
Gamme de produitCoolMOS C7
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id24A
On Resistance Rds(on)0.084ohm
Drain Source On State Resistance0.095ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation Pd128W
Power Dissipation128W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS C7
Qualification-
MSL-
Produits de remplacement pour IPP65R095C7XKSA1
2 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
650V CoolMOS™ C7 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle and suitable for use in PFC stages and PWM stages for e.g. computing, server, telecom, UPS and solar.
- Increased MOSFET dv/dt ruggedness
- Better efficiency due to best in class FOM RDS(on) *Eoss and RDS(on)*Qg
- Best-in-class RDS(on)/package
- Easy to use/drive
- Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)
- Enabling higher system efficiency
- Enabling higher frequency/increased power density solutions
- System cost/size savings due to reduced cooling requirements
- Higher system reliability due to lower operating temperatures
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.084ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
128W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS C7
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
24A
Drain Source On State Resistance
0.095ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Power Dissipation
128W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit