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IPT60R022S7XTMA1
MOSFET, N-CH, 600V, 23A, HSOF ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPT60R022S7XTMA1
Code Commande82AH1701
Gamme de produitCoolMOS SJ S7
Fiche technique
205 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 13,810 $ |
| 10+ | 10,100 $ |
| 25+ | 9,550 $ |
| 50+ | 9,000 $ |
| 100+ | 8,460 $ |
| 250+ | 8,370 $ |
| 500+ | 8,290 $ |
| 1000+ | 7,770 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
13,81 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPT60R022S7XTMA1
Code Commande82AH1701
Gamme de produitCoolMOS SJ S7
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id23A
On Resistance Rds(on)0.02ohm
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleHSOF
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation390W
Power Dissipation Pd390W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS SJ S7
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.02ohm
Transistor Case Style
HSOF
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
390W
No. of Pins
8Pins
Product Range
CoolMOS SJ S7
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
23A
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
390W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits