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IQE008N03LM5CGATMA1
MOSFET, N-CH, 30V, 253A, TTFN-9 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIQE008N03LM5CGATMA1
Code Commande25AK0809
Gamme de produitOptiMOS 5 Series
Fiche technique
1 874 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,900 $ |
| 10+ | 2,650 $ |
| 25+ | 2,390 $ |
| 50+ | 2,120 $ |
| 100+ | 1,860 $ |
| 250+ | 1,850 $ |
| 500+ | 1,510 $ |
| 1000+ | 1,400 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
3,90 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIQE008N03LM5CGATMA1
Code Commande25AK0809
Gamme de produitOptiMOS 5 Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id253A
Drain Source On State Resistance650µohm
On Resistance Rds(on)650µohm
Transistor Case StyleTTFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation Pd89W
Power Dissipation89W
No. of Pins9Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS 5 Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
650µohm
Transistor Case Style
TTFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
89W
No. of Pins
9Pins
Product Range
OptiMOS 5 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
253A
On Resistance Rds(on)
650µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
Power Dissipation
89W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits