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IQE065N10NM5CGATMA1
MOSFET, N-CH, 100V, 85A, TTFN-9 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIQE065N10NM5CGATMA1
Code Commande
Mise en bobine25AK0815
Bandes découpées25AK0815
Gamme de produitOptiMOS 5 Series
Votre numéro de pièce
Fiche technique
1 075 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,370 $ |
| 10+ | 4,450 $ |
| 25+ | 4,070 $ |
| 50+ | 3,680 $ |
| 100+ | 3,300 $ |
| 250+ | 3,050 $ |
| 500+ | 2,790 $ |
| 1000+ | 2,610 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIQE065N10NM5CGATMA1
Code Commande
Mise en bobine25AK0815
Bandes découpées25AK0815
Gamme de produitOptiMOS 5 Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id85A
On Resistance Rds(on)0.0057ohm
Drain Source On State Resistance5700µohm
Transistor Case StyleTTFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation100W
Power Dissipation Pd100W
No. of Pins9Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 5 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0057ohm
Transistor Case Style
TTFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
100W
No. of Pins
9Pins
Product Range
OptiMOS 5 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
85A
Drain Source On State Resistance
5700µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
100W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits