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IRF100P218AKMA1
MOSFET, N-CH, 100V, 209A, TO-247 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF100P218AKMA1
Code Commande22AJ2196
Gamme de produitStrongIRFET
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 25 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 10,400 $ |
| 10+ | 10,360 $ |
| 25+ | 6,760 $ |
| 50+ | 6,330 $ |
| 100+ | 5,900 $ |
| 250+ | 5,540 $ |
| 800+ | 5,160 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
10,40 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF100P218AKMA1
Code Commande22AJ2196
Gamme de produitStrongIRFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id209A
On Resistance Rds(on)0.0011ohm
Drain Source On State Resistance0.0011ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.8V
Power Dissipation Pd556W
Power Dissipation556W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStrongIRFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0011ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
556W
No. of Pins
3Pins
Product Range
StrongIRFET
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
209A
Drain Source On State Resistance
0.0011ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.8V
Power Dissipation
556W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits