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7 En Stock
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 2,010 $ |
10+ | 1,660 $ |
25+ | 1,600 $ |
50+ | 1,550 $ |
100+ | 1,490 $ |
250+ | 1,390 $ |
500+ | 1,310 $ |
1600+ | 1,300 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,01 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF1010NSTRLPBF
Code Commande13AC9170
Gamme de produitHEXFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id85A
On Resistance Rds(on)0.011ohm
Drain Source On State Resistance0.011ohm
Transistor Case StyleTO-263AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd180W
Power Dissipation180W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
On Resistance Rds(on)
0.011ohm
Transistor Case Style
TO-263AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
180W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
85A
Drain Source On State Resistance
0.011ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
180W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
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