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IRF1018EPBF
N CHANNEL MOSFET, 60V, 79A TO-220AB
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| 10+ | 1,590 $ |
| 100+ | 1,240 $ |
| 500+ | 1,100 $ |
| 1000+ | 1,020 $ |
| 4000+ | 0,968 $ |
| 10000+ | 0,908 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF1018EPBF
Code Commande08N6374
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id79A
Drain Source On State Resistance0.0071ohm
On Resistance Rds(on)0.0071ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation110W
Power Dissipation Pd110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Produits de remplacement pour IRF1018EPBF
2 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
The IRF1018EPBF is a 60V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with high speed power switching and enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability.
- High efficiency synchronous rectification in SMPS
- High frequency hard switching converter
- Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
Applications
Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0071ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
110W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
79A
On Resistance Rds(on)
0.0071ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
110W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits