Imprimer la page
IRF1404PBF
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 202 A, 0.004 ohm, TO-220AB, Through Hole
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF1404PBF
Code Commande63J7187
Egalement appeléSP001561374
Fiche technique
9 162 En Stock
Vous en voulez davantage ?
880 Livraison dans 1-3 jours ouvrables(US stock)
8282 Livraison dans 2-4 jours ouvrables(UK stock)
Commander avant 21:00
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,960 $ |
| 10+ | 1,960 $ |
| 100+ | 1,660 $ |
| 500+ | 1,660 $ |
| 1000+ | 1,660 $ |
| 3000+ | 1,660 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
1,96 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF1404PBF
Code Commande63J7187
Egalement appeléSP001561374
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id202A
On Resistance Rds(on)0.004ohm
Drain Source On State Resistance4000µohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd200W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation200W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The IRF1404PBF is a 40V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology.
- 175°C Operating temperature
- Dynamic dV/dt rating
- Fully avalanche rated
- Automotive qualified
Applications
Power Management, Automotive
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.004ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
202A
Drain Source On State Resistance
4000µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
200W
Power Dissipation
200W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits