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IRF150P221AKMA1
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 186 A, 0.0036 ohm, TO-247, Through Hole
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF150P221AKMA1
Code Commande38AJ3785
Gamme de produitStrongIRFET Series
Fiche technique
74 En Stock
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expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 11,510 $ |
| 10+ | 9,780 $ |
| 25+ | 8,020 $ |
| 50+ | 7,550 $ |
| 100+ | 7,080 $ |
| 250+ | 6,860 $ |
| 800+ | 6,620 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
11,51 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF150P221AKMA1
Code Commande38AJ3785
Gamme de produitStrongIRFET Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id186A
Drain Source On State Resistance0.0036ohm
On Resistance Rds(on)0.0036ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.6V
Power Dissipation341W
Power Dissipation Pd341W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStrongIRFET Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.0036ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
341W
No. of Pins
3Pins
Product Range
StrongIRFET Series
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
186A
On Resistance Rds(on)
0.0036ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4.6V
Power Dissipation Pd
341W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit