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IRF200P222
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 182 A, 0.0066 ohm, TO-247AC, Through Hole
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF200P222
Code Commande93AC7142
Gamme de produitStrongIRFET
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 57 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 15,310 $ |
| 10+ | 13,630 $ |
| 25+ | 13,070 $ |
| 50+ | 12,500 $ |
| 100+ | 11,940 $ |
| 250+ | 11,460 $ |
| 800+ | 10,960 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
15,31 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF200P222
Code Commande93AC7142
Gamme de produitStrongIRFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id182A
Drain Source On State Resistance0.0066ohm
On Resistance Rds(on)0.0053ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation556W
Power Dissipation Pd556W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStrongIRFET
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.0066ohm
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
556W
No. of Pins
3Pins
Product Range
StrongIRFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
182A
On Resistance Rds(on)
0.0053ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
556W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit