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IRF200P223
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 100 A, 0.0115 ohm, TO-247AC, Through Hole
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF200P223
Code Commande39AH8946
Gamme de produitStrongIRFET
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 16 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,480 $ |
| 10+ | 5,620 $ |
| 25+ | 4,760 $ |
| 50+ | 4,440 $ |
| 100+ | 4,120 $ |
| 250+ | 4,120 $ |
| 800+ | 4,100 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
6,48 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF200P223
Code Commande39AH8946
Gamme de produitStrongIRFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id100A
On Resistance Rds(on)0.0095ohm
Drain Source On State Resistance0.0115ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd313W
Power Dissipation313W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStrongIRFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.0095ohm
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
313W
No. of Pins
3Pins
Product Range
StrongIRFET
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
0.0115ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
313W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit