Imprimer la page
Options de conditionnement
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 14 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,820 $ |
| 10+ | 4,730 $ |
| 25+ | 4,340 $ |
| 50+ | 3,940 $ |
| 100+ | 3,550 $ |
| 250+ | 3,340 $ |
| 500+ | 3,120 $ |
| 1600+ | 2,910 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
6,82 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF2804STRL7PP
Code Commande13AC9174
Gamme de produitHEXFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id160A
On Resistance Rds(on)0.0012ohm
Drain Source On State Resistance1600µohm
Transistor Case StyleTO-263AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd330W
Power Dissipation330W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
- Single N-channel HEXFET® power MOSFET
- Advanced process technology
- Ultra low on-resistance
- Fast switching
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
- Optimized for broadest availability from distribution partners
- Product qualification according to JEDEC standard
- Industry standard surface-mount power package
- Higher current-rating (by 23%) vs D2PAK (of same die-size)
- High-current carrying capability package (up to 240A, die-size dependent)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.0012ohm
Transistor Case Style
TO-263AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
330W
No. of Pins
7Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
160A
Drain Source On State Resistance
1600µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
330W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit