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1 374 En Stock
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 4,050 $ |
10+ | 2,960 $ |
25+ | 2,760 $ |
50+ | 2,550 $ |
100+ | 2,340 $ |
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Minimum: 1
Multiple: 1
4,05 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF3415STRLPBF
Code Commande13AC9176
Gamme de produitHEXFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id43A
On Resistance Rds(on)0.042ohm
Drain Source On State Resistance0.042ohm
Transistor Case StyleTO-263AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation200W
Power Dissipation Pd200W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
On Resistance Rds(on)
0.042ohm
Transistor Case Style
TO-263AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
200W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
43A
Drain Source On State Resistance
0.042ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
200W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour IRF3415STRLPBF
1 produit trouvé
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits