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IRF3710ZSTRLPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF3710ZSTRLPBF
Code Commande32AC7469
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id59A
On Resistance Rds(on)0.014ohm
Drain Source On State Resistance0.018ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation160W
Power Dissipation Pd160W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour IRF3710ZSTRLPBF
1 produit trouvé
Aperçu du produit
- HEXFET® power MOSFET
- Advanced process technology
- Ultra-low on-resistance
- Dynamic dv/dt rating
- 175°C operating temperature
- Fast switching
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.014ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
160W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
59A
Drain Source On State Resistance
0.018ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
160W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit