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IRF4905STRLPBF
Power MOSFET, P Channel, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,460 $ |
| 10+ | 2,260 $ |
| 25+ | 2,260 $ |
| 50+ | 2,090 $ |
| 100+ | 2,080 $ |
| 250+ | 1,930 $ |
| 500+ | 1,810 $ |
| 1600+ | 1,590 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF4905STRLPBF
Code Commande40M7917
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id74A
Drain Source On State Resistance0.02ohm
On Resistance Rds(on)0.02ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage20V
Power Dissipation Pd200W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation200W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The IRF4905STRLPBF is a -55V single P-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology. It features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for wide variety of other applications.
- Advanced process technology
- Fully avalanche rated
- 175°C Operating temperature
Applications
Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
74A
On Resistance Rds(on)
0.02ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
200W
Power Dissipation
200W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit