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IRF5803TRPBF
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, TSOP, Surface Mount
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| 1+ | 0,695 $ |
| 10+ | 0,462 $ |
| 25+ | 0,415 $ |
| 50+ | 0,369 $ |
| 100+ | 0,321 $ |
| 250+ | 0,313 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF5803TRPBF
Code Commande25M9809
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id3.4A
On Resistance Rds(on)0.112ohm
Drain Source On State Resistance0.112ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation2W
Power Dissipation Pd2W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Single P-channel HEXFET® power MOSFET potential applications suitable for DC switches and load switch application.
- Low RDS(on)
- Industry-leading quality
- Low gate charge
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.112ohm
Transistor Case Style
TSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2W
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.4A
Drain Source On State Resistance
0.112ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit