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IRF6617TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 55 A, 0.0081 ohm, DirectFET ST, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF6617TRPBF
Code Commande91Y4736
Gamme de produitHEXFET Series
Fiche technique
Options de conditionnement
68 En Stock
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Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,560 $ |
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Minimum: 1
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1,56 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF6617TRPBF
Code Commande91Y4736
Gamme de produitHEXFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id55A
Drain Source On State Resistance8100µohm
Transistor Case StyleDirectFET ST
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.35V
Power Dissipation42W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
55A
Transistor Case Style
DirectFET ST
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
42W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
8100µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.35V
No. of Pins
7Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (3)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit