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IRF7324TRPBF
Dual MOSFET, Dual P Channel, 20 V, 9 A
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF7324TRPBF
Code Commande42Y0410
Gamme de produitHEXFET Series
Egalement appeléSP001570196
Fiche technique
7 472 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,661 $ |
| 10+ | 0,661 $ |
| 25+ | 0,661 $ |
| 50+ | 0,661 $ |
| 100+ | 0,661 $ |
| 250+ | 0,661 $ |
| 500+ | 0,661 $ |
| 1000+ | 0,661 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF7324TRPBF
Code Commande42Y0410
Gamme de produitHEXFET Series
Egalement appeléSP001570196
Fiche technique
Channel TypeDual P Channel
Continuous Drain Current Id9A
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel9A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.018ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
IRF7324TRPBF is a HEXFET® power MOSFET. This from international rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in battery and load management applications.
- Trench technology, ultra-low on-resistance
- Dual P-Channel MOSFET, low Profile (<lt/>1.1mm)
- Drain-to-source breakdown voltage is -20V (min, VGS = 0V, ID = -250µA)
- Breakdown voltage temp. coefficient is -0.02V/°C (typ, reference to 25°C, ID = -1mA)
- 0.018ohm static drain-to-source on-resistance (max, VGS = -4.5V, ID = -9.0A)
- Gate threshold voltage range from -0.45 to -1.0V (VDS = VGS, ID = -250µA)
- Drain-to-source leakage current is -1.0µA (max, VDS = -16V, VGS = 0V)
- 42nC typical total gate charge (ID = -9.0A)
- 630pF output capacitance (typ, VDS = -15V)
- SO-8 package, junction and storage temperature range from -55 to + 150°C
Spécifications techniques
Channel Type
Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
9A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.018ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
9A
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (4)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit