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IRF7341GTRPBF
MOSFET, DUAL N-CH, 55V, 5.1A, SOIC-8
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF7341GTRPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5375
Bandes découpées49AC0327
Gamme de produitHEXFET Series
Votre numéro de pièce
2 425 En Stock
2 425 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bobine complète | 1 | 1,090 $ | 0,00 $ |
| Total Prix | 1,09 $ | ||
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,840 $ |
| 10+ | 2,330 $ |
| 25+ | 2,100 $ |
| 50+ | 1,890 $ |
| 100+ | 1,690 $ |
| 250+ | 1,520 $ |
| 500+ | 1,360 $ |
| 1000+ | 1,320 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 4000+ | 1,090 $ |
| 8000+ | 1,060 $ |
Si vous souhaitez des quantités plus petites, vous pouvez sélectionner un autre type d’emballage
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF7341GTRPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5375
Bandes découpées49AC0327
Gamme de produitHEXFET Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel55V
Drain Source Voltage Vds P Channel55V
Continuous Drain Current Id N Channel5.1A
Continuous Drain Current Id P Channel5.1A
Drain Source On State Resistance N Channel0.043ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.043ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.7W
Power Dissipation P Channel1.7W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
55V
Continuous Drain Current Id P Channel
5.1A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.043ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.7W
Product Range
HEXFET Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
55V
Continuous Drain Current Id N Channel
5.1A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.043ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
1.7W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit