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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 24 semaine(s)
Quantité | Prix |
---|---|
4000+ | 4,700 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 4000
Multiple: 4000
18 800,00 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF7779L2TRPBF
Code Commande86AK5385
Gamme de produitHEXFET Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id67A
Drain Source On State Resistance0.011ohm
Transistor Case StyleDirectFET L8
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation125W
No. of Pins15Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
67A
Transistor Case Style
DirectFET L8
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.011ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
15Pins
Product Range
HEXFET Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour IRF7779L2TRPBF
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits