Imprimer la page
IRF7907TRPBF
MOSFET, DUAL N CH, 30V, 11A, SOIC-8
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF7907TRPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5390
Mise en bobine13AC9211RL
Bandes découpées13AC9211
Gamme de produitHEXFET Series
Votre numéro de pièce
9 344 En Stock
9 344 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bobine complète | 1 | 0,556 $ | 0,00 $ |
| Total Prix | 0,56 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,730 $ |
| 10+ | 1,800 $ |
| 25+ | 1,630 $ |
| 50+ | 1,450 $ |
| 100+ | 1,280 $ |
| 250+ | 1,170 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 4000+ | 0,556 $ |
| 8000+ | 0,529 $ |
| 16000+ | 0,509 $ |
| 24000+ | 0,502 $ |
Si vous souhaitez des quantités plus petites, vous pouvez sélectionner un autre type d’emballage
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF7907TRPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5390
Mise en bobine13AC9211RL
Bandes découpées13AC9211
Gamme de produitHEXFET Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel11A
Continuous Drain Current Id P Channel11A
Drain Source On State Resistance N Channel9800µohm
Drain Source On State Resistance P Channel9800µohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
11A
Drain Source On State Resistance P Channel
9800µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
HEXFET Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
11A
Drain Source On State Resistance N Channel
9800µohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit