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IRF8788TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 24 A, 0.0028 ohm, SOIC, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF8788TRPBF
Code Commande13AC9217
Gamme de produitHEXFET Series
Fiche technique
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174 Livraison dans 2-4 jours ouvrables(UK stock)
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,822 $ |
| 10+ | 0,753 $ |
| 25+ | 0,753 $ |
| 50+ | 0,695 $ |
| 100+ | 0,695 $ |
| 250+ | 0,695 $ |
| 500+ | 0,645 $ |
| 1000+ | 0,602 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF8788TRPBF
Code Commande13AC9217
Gamme de produitHEXFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id24A
On Resistance Rds(on)0.0023ohm
Drain Source On State Resistance0.0028ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.5W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0023ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation Pd
2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
24A
Drain Source On State Resistance
0.0028ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit