Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF9540NPBF
Code Commande63J7431
Egalement appeléSP001560174
Fiche technique
51 549 En Stock
Vous en voulez davantage ?
121 Livraison dans 1-3 jours ouvrables(US stock)
51428 Livraison dans 2-4 jours ouvrables(UK stock)
Commander avant 21:00
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 2,200 $ |
10+ | 1,940 $ |
100+ | 0,964 $ |
500+ | 0,839 $ |
1000+ | 0,821 $ |
3000+ | 0,775 $ |
10000+ | 0,732 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
2,20 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF9540NPBF
Code Commande63J7431
Egalement appeléSP001560174
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id23A
Drain Source On State Resistance0.117ohm
On Resistance Rds(on)0.117ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd140W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation140W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The IRF9540NPBF is -100V single P channel HEXFET power MOSFET in TO-220AB. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, rugged, fast switching and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.
- Drain to source voltage Vds is -100V
- Gate to source voltage is ±20V
- On resistance Rds(on) of 117mohm at Vgs of -10V
- Power dissipation Pd of 140W at 25°C
- Continuous drain current Id of -23A at Vgs -10V and 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 175°C
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.117ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
23A
On Resistance Rds(on)
0.117ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
140W
Power Dissipation
140W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits