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IRF9Z34NSTRLPBF
Power MOSFET, P Channel, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF9Z34NSTRLPBF
Code Commande13AC9219
Gamme de produitHEXFET Series
Fiche technique
1 265 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,740 $ |
| 10+ | 1,310 $ |
| 25+ | 1,270 $ |
| 50+ | 1,160 $ |
| 100+ | 1,050 $ |
| 250+ | 1,040 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
8,70 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF9Z34NSTRLPBF
Code Commande13AC9219
Gamme de produitHEXFET Series
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id19A
On Resistance Rds(on)0.1ohm
Drain Source On State Resistance0.1ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd68W
Power Dissipation68W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
On Resistance Rds(on)
0.1ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
68W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
19A
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
68W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits