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IRFB260NPBF
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 56 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Through Hole
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFB260NPBFCopie
Code Commande63J6714
Egalement appeléSP001551726
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFB260NPBFCopie
Code Commande63J6714
Egalement appeléSP001551726
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id56A
Drain Source On State Resistance0.04ohm
On Resistance Rds(on)0.04ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd380W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation380W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The IRFB260NPBF is a 200V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology.
- Low gate-to-drain charge to reduce switching losses
- Fully characterized capacitance including effective COSS to simplify design
- Fully characterized avalanche voltage and current
Applications
Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.04ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
56A
On Resistance Rds(on)
0.04ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
380W
Power Dissipation
380W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits