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IRFB3306PBF
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 160 A, 0.0042 ohm, TO-220AB, Through Hole
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,260 $ |
| 10+ | 2,710 $ |
| 100+ | 1,670 $ |
| 500+ | 1,550 $ |
| 1000+ | 1,460 $ |
| 3000+ | 1,390 $ |
| 5000+ | 1,370 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFB3306PBF
Code Commande61M6828
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id160A
Drain Source On State Resistance4200µohm
On Resistance Rds(on)0.0042ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation230W
Power Dissipation Pd230W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The IRFB3306PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
4200µohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
230W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
160A
On Resistance Rds(on)
0.0042ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
230W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit