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IRFB38N20DPBF
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-220AB, Through Hole
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFB38N20DPBF
Code Commande38K2488
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id43A
On Resistance Rds(on)0.054ohm
Drain Source On State Resistance0.054ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation Pd300W
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
HEXFET® power MOSFET suitable for use in high frequency DC-DC converters and plasma display panel.
- Low gate to drain charge to reduce switching losses
- Fully characterized capacitance including effective COSS to simplify design
- Fully characterized avalanche voltage and current
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.054ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
300W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
43A
Drain Source On State Resistance
0.054ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit