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IRFB4127PBF
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 76 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Through Hole
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,920 $ |
| 10+ | 2,460 $ |
| 100+ | 2,460 $ |
| 500+ | 2,450 $ |
| 1000+ | 2,450 $ |
| 3000+ | 2,420 $ |
| 5000+ | 2,380 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFB4127PBF
Code Commande45P3441
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id76A
On Resistance Rds(on)0.017ohm
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation Pd375W
Power Dissipation375W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Single N-channel HEXFET® power MOSFET suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching and hard switched and high frequency circuits applications.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.017ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation Pd
375W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
76A
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit