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IRFB4127PBF.
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 76 A, 0.017 ohm, TO-220AB, Through Hole
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFB4127PBF.
Code Commande27AC6767
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id76A
On Resistance Rds(on)0.017ohm
Drain Source On State Resistance0.017ohm
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd375W
Rds(on) Test Voltage20V
Transistor Case StyleTO-220AB
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation375W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The IRFB4127PBF is a 200V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology. Suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching, hard switched and high frequency circuits.
- Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
Applications
Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.017ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
20V
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
76A
Drain Source On State Resistance
0.017ohm
Power Dissipation Pd
375W
Transistor Case Style
TO-220AB
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit