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378 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,610 $ |
| 10+ | 4,550 $ |
| 25+ | 2,960 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFB4137PBF
Code Commande91Y4684
Gamme de produitHEXFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds300V
Continuous Drain Current Id38A
On Resistance Rds(on)0.056ohm
Drain Source On State Resistance0.069ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd341W
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation341W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
300V
On Resistance Rds(on)
0.056ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
38A
Drain Source On State Resistance
0.069ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
341W
Power Dissipation
341W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits