Imprimer la page
IRFB4227PBF
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 65 A, 0.024 ohm, TO-220AB, Through Hole
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
5 327 En Stock
Vous en voulez davantage ?
1811 Livraison dans 1-3 jours ouvrables(US stock)
3516 Livraison dans 2-4 jours ouvrables(UK stock)
Commander avant 21:00
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,860 $ |
| 10+ | 4,240 $ |
| 100+ | 2,580 $ |
| 500+ | 2,190 $ |
| 1000+ | 2,100 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
4,86 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFB4227PBF
Code Commande66K6432
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id65A
On Resistance Rds(on)0.0197ohm
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd330W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation330W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Aperçu du produit
The IRFB4227PBF is a 200V single N-channel HEXFET® Power MOSFET PDP switch designed to sustain, energy recovery and pass switch applications for plasma display panels. By adapting the latest techniques it achieves low on-resistance per silicon area and EPULSE rating.
- 175°C Operating temperature
- Low QG for fast response
- High repetitive peak current capability for reliable operation
- Short fall and rise times for fast switching
- Repetitive avalanche capability for robustness and reliability
Applications
Power Management, Industrial
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.0197ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Power Dissipation Pd
330W
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
65A
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
330W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
6 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits