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IRFB4321PBF
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 83 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Through Hole
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 19 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,690 $ |
| 10+ | 3,630 $ |
| 25+ | 3,600 $ |
| 50+ | 3,170 $ |
| 100+ | 2,730 $ |
| 250+ | 2,510 $ |
| 500+ | 2,270 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
4,69 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFB4321PBF
Code Commande61M6836
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id83A
Drain Source On State Resistance0.015ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation330W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Aperçu du produit
The IRFB4321PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers low gate charge improves the switching performance. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.
- Low RDS (ON) reduces losses
- Improved diode recovery improves switching and EMI performance
- 30V Gate voltage rating improves robustness
- Fully characterized avalanche SOA
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
83A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
330W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.015ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit