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IRFH7545TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 85 A, 0.0052 ohm, PQFN, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFH7545TRPBF
Code Commande12AC9742
Gamme de produitStrongIRFET, HEXFET
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 14 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,590 $ |
| 10+ | 1,160 $ |
| 25+ | 1,140 $ |
| 50+ | 1,130 $ |
| 100+ | 1,110 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,59 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFH7545TRPBF
Code Commande12AC9742
Gamme de produitStrongIRFET, HEXFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id85A
On Resistance Rds(on)0.0043ohm
Drain Source On State Resistance0.0052ohm
Transistor Case StylePQFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.7V
Power Dissipation83W
Power Dissipation Pd83W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeStrongIRFET, HEXFET
Qualification-
Aperçu du produit
Single N-channel StrongIRFET™ power MOSFET suitable for use in brushed motor drive applications, BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, resonant mode power supplies, OR-ing and redundant power switches, DC/DC and AC/DC converters and DC/AC inverters applications.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
- Product qualification according to JEDEC standard
- Softer body-diode compared to previous silicon generation
- Standard pinout allows for drop in replacement
- Industry standard qualification level
- High performance in low frequency applications
- Increased power density
- Provides designers flexibility in selecting the most optimal device for their application
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.0043ohm
Transistor Case Style
PQFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
83W
No. of Pins
8Pins
Product Range
StrongIRFET, HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
85A
Drain Source On State Resistance
0.0052ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.7V
Power Dissipation Pd
83W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit