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IRFL014NTRPBF
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFL014NTRPBF
Code Commande
Bobine complète86AK5293
Bandes découpées40M7891
Egalement appeléSP001554878
Votre numéro de pièce
Fiche technique
Options de conditionnement
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,590 $ |
| 10+ | 0,929 $ |
| 25+ | 0,890 $ |
| 50+ | 0,848 $ |
| 100+ | 0,809 $ |
| 250+ | 0,730 $ |
| 500+ | 0,651 $ |
| 1000+ | 0,601 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,416 $ |
| 5000+ | 0,404 $ |
| 10000+ | 0,391 $ |
| 15000+ | 0,376 $ |
| 25000+ | 0,370 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFL014NTRPBF
Code Commande
Bobine complète86AK5293
Bandes découpées40M7891
Egalement appeléSP001554878
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id1.9A
Drain Source On State Resistance0.16ohm
On Resistance Rds(on)0.16ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The IRFL014NTRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation of 1W is possible in a typical surface-mount application.
- Advanced process technology
- Dynamic dV/dt rating
- Fully avalanche rating
- Low static drain-to-source ON-resistance
Applications
Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.16ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Power Dissipation Pd
1W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.9A
On Resistance Rds(on)
0.16ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit