Imprimer la page
IRFP3710PBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 57 A, 0.025 ohm, TO-247AC, Through Hole
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFP3710PBF
Code Commande63J6881
Egalement appeléSP001552026
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 14 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,830 $ |
| 10+ | 3,440 $ |
| 100+ | 3,030 $ |
| 800+ | 2,800 $ |
| 1200+ | 2,710 $ |
| 2800+ | 2,690 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
3,83 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFP3710PBF
Code Commande63J6881
Egalement appeléSP001552026
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id57A
On Resistance Rds(on)0.025ohm
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd180W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation200W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Aperçu du produit
The IRFP3710PBF is a 100V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology.
- 175°C Operating temperature
- Dynamic dV/dt rating
- Fully avalanche rated
Applications
Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.025ohm
Transistor Case Style
TO-247AC
Power Dissipation Pd
180W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
57A
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
200W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
6 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit