Imprimer la page
IRFP9140NPBF
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-247AC, Through Hole
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFP9140NPBF
Code Commande63J6897
Egalement appeléSP001556802
Fiche technique
94 En Stock
Vous en voulez davantage ?
expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,350 $ |
| 10+ | 2,560 $ |
| 100+ | 2,240 $ |
| 500+ | 1,780 $ |
| 1600+ | 1,740 $ |
| 3200+ | 1,690 $ |
| 5600+ | 1,660 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
4,35 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFP9140NPBF
Code Commande63J6897
Egalement appeléSP001556802
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id23A
Drain Source On State Resistance0.117ohm
On Resistance Rds(on)0.117ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd120W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation120W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The IRFP9140NPBF is a -100V single P-channel HEXFET® Power MOSFET, fifth generation HEXFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFET is well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Advanced process technology
- Dynamic dV/dt rating
- Fully avalanche rated
- 175°C Operating temperature
Applications
Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.117ohm
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
23A
On Resistance Rds(on)
0.117ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
120W
Power Dissipation
120W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits