Imprimer la page
IRFR4510TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 56 A, 0.0139 ohm, TO-252AA, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
770 En Stock
Vous en voulez davantage ?
expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,260 $ |
| 10+ | 1,260 $ |
| 100+ | 1,150 $ |
| 500+ | 1,150 $ |
| 1000+ | 1,150 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
1,26 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFR4510TRPBF
Code Commande55W4111
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id56A
Drain Source On State Resistance0.0139ohm
On Resistance Rds(on)0.0111ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation143W
Power Dissipation Pd143W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Aperçu du produit
100V Single N-Channel HEXFET® power MOSFET suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching and hard switched and high frequency circuits applications.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0139ohm
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
143W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
56A
On Resistance Rds(on)
0.0111ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
143W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit