Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFR5305TRPBF
Code Commande48W3427
Gamme de produitHEXFET Series
Fiche technique
82 240 En Stock
Vous en voulez davantage ?
18590 Livraison dans 1-3 jours ouvrables(US stock)
63650 Livraison dans 2-4 jours ouvrables(UK stock)
Commander avant 21:00
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 0,473 $ |
10+ | 0,473 $ |
25+ | 0,473 $ |
50+ | 0,473 $ |
100+ | 0,473 $ |
250+ | 0,473 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,47 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFR5305TRPBF
Code Commande48W3427
Gamme de produitHEXFET Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id31A
Drain Source On State Resistance0.065ohm
On Resistance Rds(on)0.065ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd110W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The IRFR5305TRPBF is a -55V single P-channel HEXFET® Power MOSFET, fifth generation HEXFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET® power MOSFET is well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The D-Pak is designed for surface mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques.
- Ultra low on-resistance
- Advanced process technology
- Fully avalanche rated
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
Transistor Case Style
TO-252AA
Power Dissipation Pd
110W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
31A
On Resistance Rds(on)
0.065ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
110W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (4)
Produits de remplacement pour IRFR5305TRPBF
2 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit