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IRFR5410TRPBF
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFR5410TRPBF
Code Commande40M7904
Egalement appeléSP001557100
Fiche technique
43 022 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,940 $ |
| 10+ | 1,350 $ |
| 25+ | 1,350 $ |
| 50+ | 1,190 $ |
| 100+ | 1,030 $ |
| 250+ | 0,926 $ |
| 500+ | 0,826 $ |
| 1000+ | 0,759 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,94 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFR5410TRPBF
Code Commande40M7904
Egalement appeléSP001557100
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id13A
Drain Source On State Resistance0.205ohm
On Resistance Rds(on)0.205ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd66W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation66W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The IRFR5410TRPBF is a HEXFET® single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface-mount applications.
- Advanced process technology
- Fully avalanche rating
- Low static drain-to-source ON-resistance
- Dynamic dV/dt rating
Applications
Automotive, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.205ohm
Transistor Case Style
TO-252AA
Power Dissipation Pd
66W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
13A
On Resistance Rds(on)
0.205ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
66W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit