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IRFS38N20DTRLP
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFS38N20DTRLP
Code Commande38AJ3784
Gamme de produitHEXFET Series
Fiche technique
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,120 $ |
| 10+ | 3,830 $ |
| 25+ | 3,590 $ |
| 50+ | 3,350 $ |
| 100+ | 3,120 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
5,12 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFS38N20DTRLP
Code Commande38AJ3784
Gamme de produitHEXFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id43A
On Resistance Rds(on)0.054ohm
Drain Source On State Resistance0.054ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation Pd300W
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.054ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
300W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
43A
Drain Source On State Resistance
0.054ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit