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IRFU5305PBF
Power MOSFET, P Channel, 55 V, 22 A, 0.065 ohm, TO-251AA, Through Hole
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3 403 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,150 $ |
| 10+ | 0,843 $ |
| 100+ | 0,776 $ |
| 500+ | 0,740 $ |
| 1000+ | 0,708 $ |
| 2500+ | 0,679 $ |
| 12000+ | 0,669 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
1,15 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFU5305PBF
Code Commande38K2689
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id22A
Drain Source On State Resistance0.065ohm
On Resistance Rds(on)0.065ohm
Transistor Case StyleTO-251AA
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation69W
Power Dissipation Pd69W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
- Single N-channel HEXFET® power MOSFET
- Advanced process technology
- Ultra low on-resistance
- Fast switching
- Fully avalanche rated
- Dynamic dv/dt rating
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
Transistor Case Style
TO-251AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
69W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
22A
On Resistance Rds(on)
0.065ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
69W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits