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IRL6372TRPBF
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.014 ohm
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRL6372TRPBF
Code Commande13AC9258
Gamme de produitHEXFET Series
Fiche technique
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,137 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRL6372TRPBF
Code Commande13AC9258
Gamme de produitHEXFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id8.1A
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel8.1A
Continuous Drain Current Id P Channel8.1A
Drain Source On State Resistance N Channel0.014ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.014ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour IRL6372TRPBF
1 produit trouvé
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
8.1A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.014ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
8.1A
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
8.1A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.014ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits