Imprimer la page
IRLH5030TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 100 A, 0.009 ohm, QFN, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
3 293 En Stock
Vous en voulez davantage ?
1745 Livraison dans 1-3 jours ouvrables(US stock)
1548 Livraison dans 2-4 jours ouvrables(UK stock)
Commander avant 21:00
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,630 $ |
| 10+ | 2,690 $ |
| 25+ | 2,420 $ |
| 50+ | 2,160 $ |
| 100+ | 1,890 $ |
| 250+ | 1,880 $ |
| 500+ | 1,550 $ |
| 1000+ | 1,480 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
3,63 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRLH5030TRPBF
Code Commande83R9947
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance0.009ohm
On Resistance Rds(on)0.0072ohm
Transistor Case StyleQFN
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd3.6W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation3.6W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The IRLH5030TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers industry standard pin-out for multi-vendor compatibility. It is suitable for secondary side synchronous rectification, boost converters and DC-to-DC brick applications. It is compatible with existing surface-mount techniques.
- Low RDS (ON) (≤9mΩ) results in low conduction losses
- Low thermal resistance to PCB (≤0.8°C/W) enables better thermal dissipation
- 100% Rg tested for increased reliability
- Halogen-free
- Industrial qualification MSL-1 (increased reliability)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.009ohm
Transistor Case Style
QFN
Power Dissipation Pd
3.6W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
On Resistance Rds(on)
0.0072ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit