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IRLL024NTRPBF
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 3.1 A, 0.065 ohm, SOT-223, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRLL024NTRPBF
Code Commande40M7983
Egalement appeléSP001568956
Fiche technique
1 078 En Stock
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Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,429 $ |
| 10+ | 0,427 $ |
| 25+ | 0,427 $ |
| 50+ | 0,427 $ |
| 100+ | 0,427 $ |
| 250+ | 0,392 $ |
| 500+ | 0,392 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,43 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRLL024NTRPBF
Code Commande40M7983
Egalement appeléSP001568956
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id3.1A
Drain Source On State Resistance0.065ohm
On Resistance Rds(on)0.065ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd1W
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour IRLL024NTRPBF
1 produit trouvé
Aperçu du produit
The IRLL024NTRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques.
- Advanced process technology
- Ultra-low ON-resistance
- Fully avalanche rating
- Low static drain-to-source ON-resistance
- Dynamic dV/dt rating
- Logic level
Applications
Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.1A
On Resistance Rds(on)
0.065ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1W
Power Dissipation
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit